Проект:  SciNet

         Цели проекта:

Сравнительный анализ развития науки и высоких технологий в различных странах и определение рейтинга молдавской науки. Выработка предложений по реформированию молдавской науки и стимулированию развития высоких технологий в Молдове.
Отработка моделей проблемных лабораторий на основе временных творческих коллективов переменного состава финансируемых из средств получаемых на конкурсной основе.

                Субпроект: Аналитический центр "Science & Development".

                Цель субпроекта:

Сравнительный анализ развития науки и высоких технологий в различных странах и определение рейтинга молдавской науки. Выработка предложений по реформированию молдавской науки и стимулированию развития высоких технологий в Молдове.

                Промежуточные результаты:

        1. Членом OIS проф. А.И.Дикусаром проведен анализ современного состояния и перспектив молдавской науки и подготовлен доклад.
        2. В комиссию по реформе науки при Минэкономики направлены полученные посредством Интернет информационные материалы о мерах принимаемых в РФ для поддержки науки.

        Субпроект:      Laboratory of Electron Microscopy Problems.

        Цель субпроекта:

Отработка модели проблемной лабораторий на основе временного творческих коллектива переменного состава финансируемого из средств получаемых на конкурсной основе.

        Промежуточный результат :

Совместно с Институтом проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Россия), Delft University of Technology (Holland), Fabrication Services & Technology Ltd. (United Kingdom), Kings College London University (United Kingdom), Laboratory of Surface Physics and Thin Films (Belarus) послана заявка на грант INTAS по теме "Electron microscope microcolumn design and low-voltage lithography technology development".
        Основная цель этой работы - разработать конструкцию и промышленную технологию производства низковольтного миниатюрного растрового электронного микроскопа .  Проект должен обеспечить диаметр пучка лучше чем 10 nm при ускоряющих напряжениях от 1 до 5 kV и токе пучка порядка 100 pA внутри 100 micron области сканирования. Такие микроскопы имеют большой потенциал как in-situ устройства контроля, будучи встроенным в различное технологическое оборудование.